GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
作者:标准资料网 时间:2024-04-27 20:51:10 浏览:8455
来源:标准资料网
下载地址: 点击此处下载
基本信息
| 标准名称： | 硅单晶电阻率测定方法 |
| 英文名称： | Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB/T 1551-1995;GB/T 1552-1995 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1979-05-26 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 李静、何秀坤、张继荣、段曙光 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 24页 |
| 计划单号： | 20060505-T-469 |
适用范围
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。
本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
下载地址: 点击此处下载
